Gerätepool
Auf dieser Seite finden Sie eine Übersicht der am INA vorhandenen Anlagen und Geräte mit einer knappen Angabe der wichtigsten Merkmale. Bei Fragen zu den Möglichkeiten einzelner Geräte, scheuen Sie sich bitte nicht uns zu kontaktieren.Lithographie
Zeiss NVision 40 High End Cross Beam
- Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
- Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition) und Ätzen
Karl Süss MA6 Maskaligner
- NanoImprint mit SCIL Tooling für hybride Stempel
- bis zu 6“-Substrate, bis zu 7“-Masken
- bis zu 4“-Substrate, bis zu 7“-Masken
- Auflösung: Standard 800 nm, Optional bis 300 nm
-
hochauflösend bis <20 nm Strukturbreite
- 100 x 100 mm interferometrisch gesteuerter Tisch
- Positionsgenauigkeit 2 nm in x- und y-Richtung
Deposition
Roth & Rau Ionsys 1000 IBD
Ion Beam Deposition
- Reinraumklasse 1
- Multischichtsysteme (DBR, VCSEL usw.)
- In-Situ-Kontrolle
- Material: Metalle (z.B. Al, Zr, Cr), Oxide (z.B. ITO, TiO, SiO2), Nitride (z.B. SiN)
- Prozessgase: Argon (Ar), Xenon (Xe), Sauerstoff (O2), Stickstoff (N2)
Molecular Beam Epitaxy
- Epitaxie von Einkristallen
- Schichtdickengenauigkeit in nm bzw, sub-nm Bereich
- In-Situ-Kontrolle mittels RHEED
- Ultra High Vacuum (10-8 bis 10-10 mbar)
- Material: Gallium Ga), Indium (In), Aluminium (Al), Arsen (As), Silizium (Si), Beryllium (Be)
- Elektronenstrahl oder thermisch
- Material: Titan (Ti), Nickel (Ni), Chrom (Cr), Platin (Pt), Aluminium (Al)
- Elektronenstrahl oder thermisch
- Prozessgas: Argon (Ar)
- Material: Nickel (Ni), Titan (Ti), Platin (Pt), Gold (Au), Germanium (Ge), Chrom (Cr)
Oxford Plasmalab 80 PECVD
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
- Prozessgase: Silan (SiH4), Wasserstoff (H2), Ammoniak (NH3), Distickstoffoxid (N2O)
- Material: Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxid (SiO), Silizium (Si)
Zeiss NVision 40 High End Cross Beam
- Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
- Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition) und Ätzen
Trockenätzen
Castor und Pollux RIE
Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor
- Prozessgase: Trifluormethan (CHF3), Schwefelhexafluorid (SF6), Sauerstoff (O2)
- Material: Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxid (SiO)
Oxford Plasmalab 80 Plus RIE
Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor
- Prozessgase: Wasserstoff (H2), Methan (CH4)
- für: Indium (In)-, Phosphor (P)-, Gallium (Ga)-, Arsen (As)-Verbindungshalbleiter (z.B. InP)
Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching
- ICP 1: mit Flourdonatoren für das Silizium-Tiefätzen (Bosch-Prozess)
- ICP 2: mit Chlordonatoren für das Ätzen von Halbleitermaterialien (z.B. GaAs)
TePla 200-G Plasmaverascher
- Zum Ätzen von Fotolacken und organischen Rückständen
- Prozessgas: Sauerstoff (O2)
diener electronic Nano Plasmaverascher
- Zum Ätzen von Fotolacken und organischen Rückständen
- Aktive Kühlung, Optische Endpunktkontrolle
- Prozessgas: Sauerstoff (O2), Argon (Ar)
- Leistung: 600 Watt
Weitere Geräte
Analytik
Zeiss NVision 40 High End Cross Beam
- Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
- Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition)und Ätzen
- Vertikale Auflösung bis zu 0,1nm
- Objektive: 5x Michelson, 50x Mirau
- Stitching-Möglichkeit durch xy-motorisierten Probentisch
- Erweiterter vertikaler Scanbereich bis zu 20mm
- bis 1000fache Vergrößerung
- Kontrastverfahren: Hellfeld, Dunkelfeld, Differentieller Interferenzkontrast
- Auflicht und Durchlicht
SENTECH SENpro Spektroskopisches Ellipsometer
Schichtdickenmonitoring transparenter Schichten
Spektralbereich: 370 nm -1050 nm
Ambios Technology Oberflächenprofilometer XP-100
- 3 nm-Auflösegenauigkeit
- 0,03 - 10 mg Stylus-Aufdruckkraft
- 1,2 mm max. Messbereich in z-Richtung
- Analyse von Stufenhöhen, Schichtdicken, Rauheit, Welligkeit, Dünnschichtstress