Gerätepool

Auf dieser Seite finden Sie eine Übersicht der am INA vorhandenen Anlagen und Geräte mit einer knappen Angabe der wichtigsten Merkmale. Bei Fragen zu den Möglichkeiten einzelner Geräte, scheuen Sie sich bitte nicht uns zu kontaktieren.

Zeiss NVision 40 High End Cross Beam

• Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
• Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition) und Ätzen

Karl Süss MA6 Maskaligner

• NanoImprint mit SCIL Tooling für hybride Stempel
  
• bis zu 6“-Substrate, bis zu 7“-Masken

Karl Süss MA4 Maskaligner

• bis zu 4“-Substrate, bis zu 7“-Masken
• Auflösung: Standard 800 nm, Optional bis 300 nm

EVG Al-4 Maskaligner

• bis zu 4“-Substrate, bis zu 5“-Masken

Raith eLine Elektronenstrahlithographie

• hochauflösend bis <20 nm Strukturbreite
  
• 100 x 100 mm interferometrisch gesteuerter Tisch
• Positionsgenauigkeit 2 nm in x- und y-Richtung

Roth & Rau Ionsys 1000 IBD

Ion Beam Deposition

• Reinraumklasse 1
• Multischichtsysteme (DBR, VCSEL usw.)
• In-Situ-Kontrolle
• Material: Metalle (z.B. Al, Zr, Cr), Oxide (z.B. ITO, TiO, SiO₂), Nitride (z.B. SiN)
• Prozessgase: Argon (Ar), Xenon (Xe), Sauerstoff (O₂), Stickstoff (N₂)

Varian GEN II MOD MBE

Molecular Beam Epitaxy

• Epitaxie von Einkristallen
• Schichtdickengenauigkeit in nm bzw, sub-nm Bereich
• In-Situ-Kontrolle mittels RHEED
• Ultra High Vacuum (10^-8 bis 10^-10 mbar)
• Material: Gallium Ga), Indium (In), Aluminium (Al), Arsen (As), Silizium (Si), Beryllium (Be)

Pfeiffer PLS 500 Aufdampfanlage

• Elektronenstrahl oder thermisch
• Material: Titan (Ti), Nickel (Ni), Chrom (Cr), Platin (Pt), Aluminium (Al)

Balzers BAK 600 Aufdampfanlage

• Elektronenstrahl oder thermisch
• Prozessgas: Argon (Ar)
• Material: Nickel (Ni), Titan (Ti), Platin (Pt), Gold (Au), Germanium (Ge), Chrom (Cr)

Phönix Aufdampfanlage (Eigenbau)

• thermisch
• Material: Zink (Zn), Gold (Au)

Oxford Plasmalab 80 PECVD

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

• Prozessgase: Silan (SiH₄), Wasserstoff (H₂), Ammoniak (NH₃), Distickstoffoxid (N₂O)
• Material: Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxid (SiO), Silizium (Si)

Zeiss NVision 40 High End Cross Beam

• Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
• Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition) und Ätzen

Emitech K550 Sputter Coater

• Prozessgase: Argon (Ar)
  
• Material: Platin (Pt)
  

Castor und Pollux RIE

Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor

• Prozessgase: Trifluormethan (CHF₃), Schwefelhexafluorid (SF₆), Sauerstoff (O₂)
• Material: Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxid (SiO)

Oxford Plasmalab 80 Plus RIE

Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor

• Prozessgase: Wasserstoff (H₂), Methan (CH₄)
• für: Indium (In)-, Phosphor (P)-, Gallium (Ga)-, Arsen (As)-Verbindungshalbleiter (z.B. InP)

2 Oxford Plasmalab 100 ICP-RIE

Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching

• ICP 1: mit Flourdonatoren für das Silizium-Tiefätzen (Bosch-Prozess)
• ICP 2: mit Chlordonatoren für das Ätzen von Halbleitermaterialien (z.B. GaAs)

TePla 200-G Plasmaverascher

• Zum Ätzen von Fotolacken und organischen Rückständen
• Prozessgas: Sauerstoff (O₂)

diener electronic Nano Plasmaverascher

• Zum Ätzen von Fotolacken und organischen Rückständen
• Aktive Kühlung, Optische Endpunktkontrolle
  
• Prozessgas: Sauerstoff (O₂), Argon (Ar)
• Leistung: 600 Watt
  

Bal-Tec CPD 030 Kritisch-Punkt-Trockner

• Prozessgas: Kohlendioxid (CO₂)
  

Xerion RTA

Rapid Thermal Annealing

• Prozessgas: Argon (Ar)
• Temperaturen bis 400°C
  

Zeiss NVision 40 High End Cross Beam

• Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
• Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition)und Ätzen

Zygo NewView 5000 Weißlichtinterferometer

• Vertikale Auflösung bis zu 0,1nm
• Objektive: 5x Michelson, 50x Mirau
• Stitching-Möglichkeit durch xy-motorisierten Probentisch
• Erweiterter vertikaler Scanbereich bis zu 20mm
  

Leica DMR Mikroskop

• bis 1000fache Vergrößerung
• Kontrastverfahren: Hellfeld, Dunkelfeld, Differentieller Interferenzkontrast
• Auflicht und Durchlicht

SENTECH SENpro Spektroskopisches Ellipsometer

Schichtdickenmonitoring transparenter Schichten
Spektralbereich: 370 nm -1050 nm

Plasmos SD-2100 Ellipsometer

Schichtdickenmonitoring transparenter Schichten

Ambios Technology Oberflächenprofilometer XP-100

• 3 nm-Auflösegenauigkeit
• 0,03 - 10 mg Stylus-Aufdruckkraft
• 1,2 mm max. Messbereich in z-Richtung
• Analyse von Stufenhöhen, Schichtdicken, Rauheit, Welligkeit, Dünnschichtstress
  

Sloan Dektak IIA Profilometer

• 20 nm-Auflösegenauigkeit

Rohde & Schwarz Spektrumanalysator FSB

• Bandbreite: 9 kHz-30 GHz

Agilent 86142 B Optischer Spektrumanalysator

• Bandbreite: 600-1700 nm